消息称三星电子加速平泽 P5 晶圆厂 PH1 DRAM 产线建设,PH2 或生产 NAND
更新时间:2026-09-28 19:19作者:铅笔网
IT之家 9 月 28 日消息,韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称,三星电子正加速推进平泽 P5 晶圆厂 PH1 阶段 DRAM 内存生产线的建设。

报道指出,三星电子已在本季度启动 P5 PH1 的洁净室建设,早于此前预期。按此进度推算,半导体制造设备进场时间应该落在 2027 年 7~8 月。
而消息人士最近表示,三星电子现要求在明年 5~6 月就进行设备导入,甚至希望在 2027Q1 就获取设备并暂存他处。三星电子对提前投资 P5 项目的意愿非常强烈。
另一方面,三星电子正与合作伙伴商讨将 P5 PH2 建成尖端 NAND 闪存生产线的想法。由于设备交期大幅延长,三星电子正要求合作伙伴提前备好相关零部件。
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